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广东华冠半导体推出HGB125,替换infineon BSP125
2011-09-21
广东华冠半导体（HGSEMI） 新推出高压MOSFET HGB125 SOT-223封装。HGB125相比infineon BSP125，相同的雪崩电压且具有更低的导通电阻，峰值电流更高！可完全替换infineon BSP125。HGB125拥有原厂供货的优势，性价比更高。欢迎新老客户打样测试。
参数比较
英飞凌 MOS BSP125 :Vdss=600V Id=0.12A RDS(on)=45Ω SOT-223
华 冠 MOS HGB125: Vdss=600V Id=0.5A RDS(on)=9.3Ω SOT-223
